경북대 산업현장 기술지원 HOT LINE CENTER
기본정보
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함성호 교수
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분야 |
IT융복합산업 |
|---|---|
단과대학 |
IT대학 |
학과(부) |
전자공학부 |
전공분야 |
실리콘 Fin-FET, 화합물반도체 광소자 및 전자소자 |
사업화가능아이템 |
자외선 센서, 화합물반도체소자, Fin 측면 접촉 기술 |
기술협력 및 자문분야 |
자외선 센서, 화합물반도체소자, Fin 측면 접촉 기술 |
키워드 |
자외선 센서, 화합물반도체, Fin-FET, 접촉저항 |
연구실위치 |
IT 3호관 502A호 |
연구실소개 |
본 연구실에서는 또한 차세대 공정 기술인 ALD, PAALD법을 이용하여, drain/source와 plug 사이의 접촉 저항을 줄이는 nickel silicide contact layer를 개발함으로써 90nm, 60nm 뿐만 아니라 45nm 세대에서도 적용 가능한 contact layer 공정 기술 개발하고자 한다. 기존의 제시된 contact방법과 달리 Fin측면에 narrow-trench를 이용하여 contact을 도모하여 소자가 작아짐에 따라 가장 문제시 되는 contact resistance가 차지하는 비율을 줄이고자 한다. |
학력정보
| 졸업년도 | 학교 | 전공 | 학위 |
|---|---|---|---|
| 1985 | 경북대학교 | 전자공학과 | 공학사 |
| 1987. 1991 | 한국과학기술원 | 전기 및 전자공학과 | 공학석사. 공학 |
주요경력
| 근무처 | 부서 | 근무기간 | 업무내용 |
|---|---|---|---|
| 경북대학교 | 전자전기컴퓨터 | 1997~현재 | 조교수. 부교수. 교수 |
| 한국과학기술원 | 정보전자연구소 | 1991~1992 | 광교환기용IC개발 |
| 산업자원부 | 반도체사업과 | 1992~1996 | 사무관 |
| 국책 경북대학교 | 전자전기공학부 | 1996~1997 | 조교수대우 |
| 경북대학교 | 센서기술연구소 | 1997~1999 | 전임강사 |
| 경북대학교 | 전자전기공학부 | 1999~2003 | 조교수 |
| National Univ. of Singapore | ECE Dept. | 2003~2004 | Teaching Fellow |
주요연구실적
| 연구실적 | 지원기관 | 수행연도 |
|---|---|---|
A Normally-Off GaN n-MOSFET with Schottky-Barrier Source and Drain on a Si-auto-doped p-GaN/Si |
IEEE Electron Device Letters | 2006.02.01 |
Formation of Low-Resistivity Nickel Silicide with High Temperature Stability from Atomic-Layer-Depositied Nickel Thin Film |
Japanese Journal of Applied Physics | 2006.04.01 |
UV Photo-Responsive Charateristics of an n-Channel GaN Schottky-Barrier MISFET for UV image sensors |
IEEE Electron Device Letters | 2006.07.01 |
Enhancement Mode Operation and Ultraviolet Responsivity of -Channel GaN Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with Schottky Barrier Source and Drain |
Japanese journal of Applied Physics | 2007.04.24 |
Effectiveness of Self-Carbon and Titanium Capping Layers in NiSi formation with Ni Film Deposited by Atomic Layer Deposition |
Japanese Journal of Applied Physics | 2007.04.24 |
Amphoteric Behavior of Impurities in GaN Film Grown on Si Substrate |
Japanese Journal of Applied Physics | 2007.04.24 |
Enhanced Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure Field -Effect Transistor with p-GaN Back Barriers and Si Delta-Doped Layer |
Japanese journal of Applied Physics | 2008.04.25 |
A Highly Integrable p-GaN MSM Photodetector with GaN n-channel MISFET for UV Image Sensor System |
Jounal of the Korean Sensor Society | 2008.09.30 |
핵심기술
| 분야명 | 핵심기술 | 이미지 |
|---|---|---|
실리콘 분야 |
● Low contact resistivity available. ● Lower parasitic capacitance compared to the elevated S/D. ● No silicide scaling problem such as agglomeration. ● Lower sheet resistance compared to the silicides. ● Very high Shottky barrier height | 090415_181818 |
화합물 분야 |
: Ideally, over 3 eV. ● Low thermionic emission realted leakage current ● High UV/visible rejection ratio. ● Easy integration with GaN MISFET | 100120_162535 |
보유장비 및 소프트웨어
| 장비/소프트웨어명 | 내용 |
|---|---|
| TCAD Software (Silvaco) | Device simulation |
보유특허
| 특허명 | 대표발명가 | 보유연도 | 이전희망 |
|---|---|---|---|
액상 결정성장에서 선택적 용액식각을 이용한 집적형태의 광소자 |
함성호 | 1993.3.01 | X |
루데니움 산화물을 이용한 쇼트키 콘택 방법 |
함성호 | 2002.7.29 | X |
쇼트키 장벽 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
함성호 | 2007.6.18 | X |