경북대 산업현장 기술지원 HOT LINE CENTER
기본정보
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이정희 교수
|
분야 |
IT융복합산업 |
|---|---|
단과대학 |
IT대학 |
학과(부) |
전자공학부 |
전공분야 |
Metal Oganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Quantum Well Laser, HBT, HEMT, MESFET, Atomic Layer Epitaxy(ALD), Semiconductor Physic |
사업화가능아이템 |
- Tan Copper diffusion barrier 개발 : Comtex - HfN MIM capacitor용 하부전극 개발 : Hynix |
기술협력 및 자문분야 |
- Tan Copper diffusion barrier 개발 : Comtex - HfN MIM capacitor용 하부전극 개발 : Hynix |
키워드 |
화합물 반도체,MOCVD, HFET, MIS, MMIC, ALD, FED, SOI |
연구실위치 |
IT 3호관 302-1호 |
연구실소개 |
Advanced Technology Semiconductor Laboratory (ASTL) is focused on the development of growth techniques for GaN-based semiconductors and on the performance improvement of devices such as HEMT(High Electron Mobility Transistor), MISFET(Metal Insulator Semiconductor FET) electric devices and MMICs. In addition, we grown GaN-based LED epitaxial layer on sapphire and silicon substrates using MOCVD. We are also working on the formation of NiSi by using ALD process for sub 0.1um CMOS process and dual-gate device |
학력정보
| 졸업년도 | 학교 | 전공 | 학위 |
|---|---|---|---|
| 1979 | 경북대학교 | 전자공학 | 공학사 |
| 1983 | 경북대학교 | 전자공학 | 공학석사 |
| 1986 | Florida Institute of Technology | 전기전자공학 | 공학석사 |
| 1990 | North Carolina State University | 전기전자공학 | 공학박사 |
주요경력
| 근무처 | 부서 | 근무기간 | 업무내용 |
|---|---|---|---|
| 한국전자통신연구소 | 1983~1983 | 위촉연구원 | |
| 한국전자통신연구소 | 1990~1993 | 선임연구원 | |
| 경북대학교 | 전자공학과 | 1993~1997 | 조교수 |
| 경북대학교 | 전자공학과 | 1997~2002 | 부교수 |
| 산업대학원 | 산업공학과 | 1999~2001 | 반도체공학 |
| 경북대학교대학원 | 센서공학과 | 2000~2001 | 학과장 |
| 반도체 공정교육 및 지원센터 | 2001~2008 | 소장 | |
| 경북대학교 | 전자전기컴퓨터학부 | 2002~현재 | 교수 |
| 경북대학교 대학원 | 전자전기컴퓨터학부 | 2008~현재 | 학부장 |
| 경북대학교 전자전기컴퓨터학부 | BK21 사업단 | 2008~현재 | 단장 |
| 경북대학교 | 센서 및 디스플레이 공학 | 2009~현재 | 학과장 |
주요연구실적
| 연구실적 | 지원기관 | 수행연도 |
|---|---|---|
양질의 저온산화막의 제조와 응용 |
현대전자 | 1996 |
MFM용 실리콘 tip 가공기술개발 |
한국표준과학연구원 | 1997 |
비냉각 초전형 박막 BST 적외선 검출 소자기술 개발 |
한국전자 | 1998 |
저 출력저항 박막형 다중접합 열전변환기의 개발 |
한국표준과학연구원 | 1999 |
질화갈륨계 화합물 반도체를 이용한 MESFET, HEMT 제작 |
센서기술연구소 | 1999 |
온도분포 수치해석에 의한 박막형 열전변환기 최적모델 개발 |
한국표준과학연구원 | 2000 |
Si3N4/SiO2/Si3N4 열차단막을 이용한 유속센서 개발 |
한국표준과학연구원 | 2002 |
PAALD법을 이용한 MIM Capaciotr 하부전극용 HfN 증착기술의 개발 |
(주)하이닉스반도체 | 2003 |
광섬유를 이용한 고감도 압력센세의 개발 |
과학기술부 | 1995～1996 |
GaAs기판위에 성장된 단결정 AlAs층의 선택적 산화 |
서울대학교 반도체공동연구소 | 1995～1996 |
초고속소자 응용을 위한 측면형 실리콘/폴리실리콘 전계방출소자의 제작 |
서울대학교 반도체공동연구소 | 1996～1999 |
청색발광 InGaN/GaN계 LED(LD) 개발(중간보고서) |
삼성전자 | 1996～1999 |
ALE를 이용한 확산방지용 TiN 박막 형성기술 개발 |
정보통신연구진흥원 | 1997,1998～2000 |
고감도 평면형 다중접합 열전변환기의 개발 |
한국표준과학연구원 | 1997～1998 |
반도체 기판제조용 환원제 개발 |
대구광역시 | 1998～1999 |
질화물 반도체를 이용한 자외선 검출기의 개발 |
국방과학연구소 | 1999 ~ 2002 |
전자소자 제조를 위한 고순도 채널층의 성장, 전기적 절연을 위한 완중충(buffer layer) 성장, 및 AlGaN/GaN 이종접합 성장 기술의 개발 |
한국산업기술평가원 | 1999 ~ 2002 |
고출력 전자소자 및 회로개발 |
산업자원부 | 1999～2002 |
차세대 무선인터넷 응용을 위한 고출력 고속 GaN 전자소자의 개발 |
한국전자통신연구원 | 2001 ~ 2002 |
질화물 반도체를 이용한 절연층 및 AlGaN/GaN이종접합의 형성에 관한 연구 |
한국전자통신연구원 | 2001 ~ 2002 |
고출력 이동통신용 GaN계 Metal Insulator |
한국과학재단 | 2003 ~ 2006 |
Nanp급 CMOS 개발을 위한 PAALD법을 이용한 source/drain 및 gate electrode용 Nickel Silicide 개발 |
(재)한국산업 기술재단 | 2004 ~ 2006 |
전자소자 제조를 위한 GaN-on-Si 기반의 질화물 반도체 성장 기술 |
한국산업기술평가원 | 2006 ~ 2009 |
AlGaN/GaN 이종접합을 이용한 이동 통신용 고출력 MMIC 개발 |
한국과학재단 | 2006 ~ 현재 |
실리콘 기판상의 광 및 전자소자 응용을 위한 질화칼륨 박막의 성장에 관한 연구 |
(주)실트론 | 2007 ~ 2008 |
Ion-cut에 의한 GOI 웨이퍼 특성분석 기술 개발 |
한국과학재단 | 2007 ~ 2008 |
3차원 구조 반도체 소자의 제작, 분석, 그리고 모델링에 관한 연구 |
한국과학재단 | 2008 ~ 현재 |
MOCVD법을 이용한 GaN-on -silicon 공정 기술 개발 |
에너지관리공단 | 2008 ~ 현재 |
MOCVD를 이용하여 실리콘 기판위에 선택적 GaN계 박막 성장 기술 개발 |
한국과학재단 | 2008 ~ 현재 |
핵심기술
| 분야명 | 핵심기술 | 이미지 |
|---|---|---|
MOCVD(Growth of III-V nitride semicinductor) |
- 광소자용 Epi Wafer 성장 및 개발 - 전자소자용 Epi Wafer 성장 및 개발 - Blue/Green, White LED/LD 개발하기 위한 Lowdislocation density와 High Quality GaN Based Material의 성장기술 - OEIC를 위한 실리콘 웨이퍼 상에서의 GaN and related Material 성장기술 - 무선통신용 RF 소자 위한 고품위의 HENT 구조의 GaN and related Matrial개발 및 성장기술 | 090415_181818 |
Fabrication and Simulation of GaN-realted electronic devices/New SOI Devices |
- 무선통신 중계기용 PA 개발 - 고주파 통신용 SAW Filter 개발 - AlGaN/GaN HFET를 이용한 고주파 무선통신용 PA 제작기술 - MIS 구조를 이용한 MISHEFET의 고전력 MMIC 제작기술 - AIN의 Piezoelectric Effect를 이용한 고주파 통신용 SAW Filter 제작기술 - GaN를 이용한 고주파 통신용 F-bar 제작기술 - ALD Process로 증착된 Al2O3를 이용한 SOI Wafer 제작기술 | 090415_181818 |
ALD(Atomic Layer Deposition) |
- Cu 확산방지막용 TaN 박막 개발 - MIM Cap 용 하부 전극 HfN 박막 개발 -Plasma assisted atomic layer deposition(PAALD) 법을 이용하여 high-quality 박막 형성기술 - ALD법과 PAALD법을 이용한 TaN, HfN 박막의 공정 개발기술 - Cu 확산방지막용 TaN 박막의 열적 안정성 평가기술 | 090415_181818 |
보유장비 및 소프트웨어
| 장비/소프트웨어명 | 내용 |
|---|---|
| Sysnex-MOCVD | III-N growth (GaN, InN, AlN) |
| Emcore-MOCVD | III-N growth (GaN, InN, AlN) |
| ALD System | 집적회로 배선 공정 응용 |
| TCP Etcher | 건식식각 장비 |
| E-beam Evaporator | metallization용 장비 |
| Hall measurement | 이동도및 캐리어 농도 측정 |
| Cadence | Mask layout |
보유특허
| 특허명 | 대표발명가 | 보유연도 | 이전희망 |
|---|---|---|---|
전기전도도가 높고 오믹 접촉 저항이 낮은 p형 GaN층 및 이의 제조방법 |
이재승, 이정희 | 2003.12.24 | X |
반도체 소자의 제조방법 |
배성범, 이규석, 이정희, 이재훈 | 2005.01.06 | X |
전계 방출 소자 및 그 제조방법 |
이재훈, 이정희, 노재철 | 2006.04.13 | X |
GaN 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
이재훈, 이정희, 김제원 | 2006.04.27 | X |
고절연성 GaN 박막의 성장방법 |
이재훈, 이정희 | 2006.06.20 | X |
질화물계 반도체 장치 및 그 제조방법 |
이재훈, 이정희 | 2006.08.21 | X |
질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터 |
이재훈, 이정희 | 2006.08.21 | X |
수평 전계방출 반도체 진공관 및 그 제조방법 |
이재훈, 최규만, 이정희 | 2006.11.24 | X |
수직 구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법 |
이재훈, 이정희, 조현익, 김대길, 노재철 | 2006.12.19 | X |
질화물계 반도체 장치 및 그 제조방법 |
이재훈, | 2007.01.20 | X |
METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE |
Jae Hoon Lee, Jung Hee Lee, Hyun Ick Cho, Dae Kil | 2007.06.14 | X |
쇼트키 장벽 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
함성호, 이정희, 이헌복, 조현익 | 2007.06.18 | X |
질화물 반도체 및 그 제조방법 |
이정희, 함성호, 조현익 | 2007.06.18 | X |
카본 함량을 조절할 수 있는 반도체 제조장치 및 그 방법 |
이정희, 함성호, 공성호, 하종봉, 양충모 | 2007.07.14 | X |
자연산화막 상에 형성된 반도체 디바이스 및 그 제조방법 |
이정희, 함성호, 공성호, 조현익, 양충모, 배남진 | 2007.07.14 | X |
수평구조 전계방출소자 및 그 제조방법 |
이재훈, 이정희, 노재철 | 2007.10.17 | X |
METHOD FOR MANUFACTURING A NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE |
Jae Hoon Lee, Jung Hee Lee | 2007.11.13 | X |
NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME |
Jae Hoon Lee, Jung Hee Lee, Hyun Ick Cho | 2008.01.15 | X |
ALD 방법에 의한 반도체 디바이스 및 그 제조방법 |
이정희, 함성호, 공성호, 조현익, 도관우, 배남진, 김 | 2008.02.25 | X |
NITRIDE BASED HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
Jae Hoon Lee, Jung Hee Lee | 2008.07.15 | X |
3차원 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
이정희, 함성호, 공성호, 나경일, 조현익 | 2008.08.19 | X |
금속실리사이드 시드층에 의한 단결정 박막 및 그 제조방법 |
이정희, 나경일, 김기원. 김동석 | 2008.10.17 | X |
금속실리사이드 시드층에 의한 단결정 박막 및 그 제조방법 |
이정희, 나경일, 김기원. 김동석, 김일환 | X | |
질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터 |
이정희, 박기열, 조명수, 최번재 | X | |
수평 전계방출 반도체 진공관 및 그 제조방법 |
이재훈, 최규만, 이정희 | X | |
질화물계 반도체장치의 제조방법 |
이정희, 이재훈, 조현익 | X | |
반도체 소자 및 그 제조 방법 |
이정희,전우철,박영환,박기열 | X | |
반도체 소자 및 그 제조 방법 |
이정희,박기열,김기원,박영환,전우철 | X | |
이온주입을 이용한 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
이정희,김기원,하종봉, | X | |
부분 이온주입을 이용한 질화물 반도체 소자 및 그제조방법 |
이정희,임기식,김기원,이종섭,김성남 | X | |
인헨스먼트 노말리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
이정희,하종봉,강희성,김성남,임기식 | X | |
인헨스먼트 노말리 오프 질화물 반도체소자 및 그 제조방법 |
이정희임기식,하종봉 | X | |
인헨스먼트 노말리 오프 질화물 반도체소자 및 그 제조방법 |
이정희,임기식,김기원,이종섭,김성남 | X |